案例分析题对于室温下硅材料，假设载流子迁移率分别为μ_n=1350cm²/V·s，μ_p=5001350cm²/V·s，且认为不随掺杂而变化。已知q=1.6×10^-19C，本 征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，硅的原子密度为5×10²²cm^-3，Nc=Nv=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln200=5.3。 试计算问题（2）中杂质半导体的电阻率与本征硅的电阻率的比值。