单项选择题
A.280℃B.220℃C.320℃D.350℃
芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
单项选择题芯片共晶粘片工艺中所用金锗合金，共熔点是为（）
A.320℃B.356℃C.380℃D.280℃
集成电路的组装顺序是（）A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→...
单项选择题集成电路的组装顺序是（）
A.中测→划片→粘片→键合→封装B.划片→中测→键合→封装→检漏C.划片→键合→中测→粘片→封装D.中测→划片→组装→封装→键合
超声键合用的铝丝，含1%Si的冷拉铝丝，加硅的目的是（）A.提高抗拉强度B.提高抗氧化能力C.提高导电能力D....
单项选择题超声键合用的铝丝，含1%Si的冷拉铝丝，加硅的目的是（）
A.提高抗拉强度B.提高抗氧化能力C.提高导电能力D.提高抗腐蚀能力
