计算题一平行板电容器，极板是半径为R的两圆形金属板，极板间为空气，此电容器与交变电源相接，极板上电量随时间变化的关系为q=q₀sinωt（ω为常量），忽略边缘效应。 求电容器极板间位移电流及位移电流密度。

平行板电容器的电容为C=20.0μF，两板上的电压变化率为dU/dt=1.50×105V/s，则该平行板电容器...

问答题平行板电容器的电容为C=20.0μF，两板上的电压变化率为dU/dt=1.50×10⁵V/s，则该平行板电容器中的位移电流为多少？

设某理想气体分子的最可几速率为vP=367m/s，气体的密度ρ=1.30kg/m3。求： （1）该气体分子的平...

问答题

设某理想气体分子的最可几速率为v_P=367m/s，气体的密度ρ=1.30kg/m³。求：
（1）该气体分子的平均速率和方均根速率；
（2）该气体的压强。

一圆柱体长直导线，均匀地通有电流I，证明导线内部单位长度储存的磁场能量为Wm=μ0I2/（16π）（设导体的相...

问答题一圆柱体长直导线，均匀地通有电流I，证明导线内部单位长度储存的磁场能量为W_m=μ₀I²/（16π）（设导体的相对磁导率μ_r≈1）。