陷阱中心的存在会增加少子寿命。

对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。

判断题对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。

浅受主能级也能成为有效的复合中心。

判断题浅受主能级也能成为有效的复合中心。

对于本征半导体，EF几乎和Ei重合。

判断题对于本征半导体，E_F几乎和E_i重合。