本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，...
问答题
本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：
，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：
（1）设N=1023cm-3，k=8.6”*10-5eV.K-1时，Si（Eg=1.1eV），TiO2（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少：
（2）半导体的电导率σ（Ω-1.cm-1）可表示为σ=neμ，式中n为载流子浓度（cm-3），e为载流子电荷（电荷1.6*10-19C），μ为迁移率（cm2.V-1.s-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，
。假定Si的迁移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率
