计算题 计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中...

问答题有一块掺磷的n型硅，N_D=10¹⁵cm^-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%...

问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.04eV，施主杂质浓度分别为10¹⁵cm^-3及10¹⁸cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①...

问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV，施主杂质浓度分别为N_D=10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？