在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

在热力学温度零度时，能量比FF小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子...

填空题在热力学温度零度时，能量比F_F小的量子态被电子占据的概率为（），当温度大于热力学温度零度时，能量比E_F小的量子态被电子占据的概率为（）。

将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。

填空题将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用，若Si取代As则起（）杂质作用。

砷化稼的能带结构是（）能隙结构。A. 直接B. 间接

单项选择题砷化稼的能带结构是（）能隙结构。