MOS 晶体管的开关速度比双级晶体管（）。

MOS 晶体管的耐压（）。A.最高B.最低C.比较高D.比较低

单项选择题MOS 晶体管的耐压（）。

锗管比硅管具有较低的（）压降。A.平衡B.截止C.饱和D.死区

单项选择题锗管比硅管具有较低的（）压降。

硅管比锗管具有较小的（）。A.电流B.电压C.漏电感D.漏电流

单项选择题硅管比锗管具有较小的（）。