LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

判断题相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。