多项选择题
A.自由层磁矩方向不受外磁场控制B.多采用磁控溅射工艺制备C.GMR磁头是自旋阀结构D.是固定铁磁层/导电间隔层/自由铁磁层/反铁磁钉扎层多层膜
对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）A.LED光谱较窄B.激光器发射...
多项选择题对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）
A.LED光谱较窄B.激光器发射功率较低C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱D.LED没有谐振腔而激光器有
下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）A.这是底栅CNT FETB.金属钯（Pd）的功函数小于...
下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）
A.这是底栅CNT FETB.金属钯（Pd）的功函数小于CNT的功函数C.CNT是FET的导电沟道D.CNT中的载流子是弹道传输
从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：（）A.Ec=kBTB.RT>>RkC.Ec>>kBTD.RT< R...
多项选择题从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：（）
A.Ec=kBTB.RT>>RkC.Ec>>kBTD.RT< Rk
