共用题干题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

问答题试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

求室温下掺锑的n型硅，使EF=（EC+ED）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

问答题求室温下掺锑的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

问答题掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。