单项选择题
A.稳定晶格B.活化晶格C.固溶强化D.A+B+C
对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（）。A.正离子...
单项选择题对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（）。
A.正离子空位 B.间隙负离子 C.负离子空位 D.A或B
对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。A.负离子...
单项选择题对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。
A.负离子空位 B.间隙正离子 C.间隙负离子 D.A或B
位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A.攀移B.滑移...
单项选择题位错的（）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
A.攀移 B.滑移 C.增值 D.减少
