单项选择题
A.温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高 B.温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降 C.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高 D.温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
以下哪几项是集成电路制作工艺的（）。A.SOPB.BCDC.BMOSD.CMOSE.BiMOSF.BCG
多项选择题以下哪几项是集成电路制作工艺的（）。
A.SOP B.BCD C.BMOS D.CMOS E.BiMOS F.BCG
集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。A.漏电流增大导致总功耗增加B.栅极氧化膜厚度接近物理极...
多项选择题集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。
A.漏电流增大导致总功耗增加 B.栅极氧化膜厚度接近物理极限 C.电路规模增大导致动态功耗增加 D.配线延迟不能相应降低从而影响性能
为了进行时序验证、功耗验证、信号完整性验证及电子迁移性验证，需要从版图结果中提取（）。
填空题为了进行时序验证、功耗验证、信号完整性验证及电子迁移性验证，需要从版图结果中提取（）。
