熔体生长晶体多数可以认为是（）的生长，因此，原子或分子离开晶格座位和进入晶格座位同时、独立的进行。

粗糙突变界面模型，吸附的原子或分子都能顺利地进入（）座位，使晶体生长。

填空题粗糙突变界面模型，吸附的原子或分子都能顺利地进入（）座位，使晶体生长。

粗糙突变界面模型，晶体的生长过程仅取决于（）和（）输运过程，以及原子或分子进入晶格座位的（）。

填空题粗糙突变界面模型，晶体的生长过程仅取决于（）和（）输运过程，以及原子或分子进入晶格座位的（）。

粗糙突变界面模型的理论基础是在（）条件下，界面层中（）变成（）时，使界面层自由能变化。

填空题粗糙突变界面模型的理论基础是在（）条件下，界面层中（）变成（）时，使界面层自由能变化。