问答题
由扩散电势的表达式可知,扩散电势VD与PN结两边半导体材料的掺杂浓度ND、N......
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写出下列状态下连续性方程的简化形式: (1)无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态; (2)无外加电场、无光照等...
写出下列状态下连续性方程的简化形式: (1)无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态; (2)无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生,稳态。
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流...
问答题光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。
有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品,如果在1μm的范围内,空穴浓度从1016cm-3线性降低到101...
问答题有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品,如果在1μm的范围内,空穴浓度从1016cm-3线性降低到1013cm-3,求空穴的扩散电流密度。