单项选择题
A.硅管B.锗管C.碳管D.锌管
晶体三极管（）的交界处形成发射结，（）的交界处形成集电结。A.发射区与基区、集电区与基区B.发射区与集电区、集...
单项选择题晶体三极管（）的交界处形成发射结，（）的交界处形成集电结。
A.发射区与基区、集电区与基区B.发射区与集电区、集电区与基区C.发射区与基区、集电区与发射区D.发射区与集电区、集电区与发射区
共模抑制比是哪一种电路的参数（）A.数字电路B.稳压电源C.A/DD.运算放大器
单项选择题共模抑制比是哪一种电路的参数（）
A.数字电路B.稳压电源C.A/DD.运算放大器
运放的共模拟制比CMRR是（）A.差模输入信号与共模输入信号之比B.共模输入信号与差模信号之比C.差模增益与共...
单项选择题运放的共模拟制比CMRR是（）
A.差模输入信号与共模输入信号之比B.共模输入信号与差模信号之比C.差模增益与共模增益之比D.共模增益与差模增益之比
