案例分析题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子β_n。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=...

问答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容C_ox=10^-3pF/μm²，扩散区电容C_ja=10^-4pF/μm²，扩散区周边电容为C_ja=10^-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容C_p=5×10^-5pF/μm²，试计算多晶硅区和扩散区的电容。

计算该材料的方块电阻值。

问答题计算该材料的方块电阻值。

若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

问答题若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？