问答题
死时间分别为30μs和100μs的探测器A和B，若B探测器的死时间漏计数率是A探测器死时间漏计数率的两倍，求应...
问答题死时间分别为30μs和100μs的探测器A和B，若B探测器的死时间漏计数率是A探测器死时间漏计数率的两倍，求应测的计数率是多少？
电容为10PF的冲氩气的脉冲电离室，前置放大器的噪声约20MV，输入电容20PF（忽略分布电容）。若认为信噪比...
问答题电容为10PF的冲氩气的脉冲电离室，前置放大器的噪声约20MV，输入电容20PF（忽略分布电容）。若认为信噪比小于5就无法测量了，求该电离室能够测量的粒子最低能量。
用锢（In）片活化法测量热中子通量密度，已知铟片s=4㎝2，xm=100mg/cm2， 锢中115In的丰度为...
问答题用锢（In）片活化法测量热中子通量密度，已知铟片s=4㎝2，xm=100mg/cm2， 锢中115In的丰度为95.7%，热中子活化截面145b。将铟片放在中子场中照射6小时后取出，等待20分钟开始测量116In的放射性，测量10分钟测得计数率为164000cps，求照射的热中子通量密度。（116mIn的半衰期为54.1分，116In半衰期为14.1秒）
