Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。

一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置...

单项选择题一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界x_n间的距离（p区：Na=1E18cm^-3，n区：Nd=1E16cm^-3，ε_r=11.9）：（）

Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。A.厘米B.纳米C.毫米D.微米

单项选择题Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。

Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。‌A.300B.250C.150D.200

单项选择题Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。‌