多项选择题
A.电子迁移率高，高频性能好B.发光效率高C.器件工作温度高（达250℃）D.容易形成结构高度稳定的绝缘层
形成P型硅的掺杂剂是（）。A.铝B.硼C.砷D.锑
多项选择题形成P型硅的掺杂剂是（）。
A.铝B.硼C.砷D.锑
以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。A.熔点随着原子序数的增加而增加B.其导电类型可以通过改变气相的...
单项选择题以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.熔点随着原子序数的增加而增加B.其导电类型可以通过改变气相的分压来改变C.离子注入可以抑制自补偿效应D.碲化镉具有较高的吸光系数，可以制备太阳电池
以下对于GaN（氮化镓）描述错误的是（）。A.P型掺杂困难B.可以用熔体法或者气相法生长C.外延生长存在晶格...
单项选择题以下对于GaN（氮化镓）描述错误的是（）。
A.P型掺杂困难B.可以用熔体法或者气相法生长C.外延生长存在晶格失配的问题D.能带宽度会随着温度变化
