单项选择题
A.N型B.P型C.本征型D.无法判断
已知仅掺杂磷的n型硅样品,且其室温时的电阻率为10Ω·cm,则其掺杂浓度最可能为()cm-3。A.1.3×10...
单项选择题已知仅掺杂磷的n型硅样品,且其室温时的电阻率为10Ω·cm,则其掺杂浓度最可能为()cm-3。
A.1.3×1013B.1.3×1014C.1.3×1015D.1.3×1016
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。A.表示单位电场下的电流大小B.与电场大小无关C.只要本征激发不起...
单项选择题下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。
A.表示单位电场下的电流大小B.与电场大小无关C.只要本征激发不起主导作用,温度越高,则电导率越大D.室温下,同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大
对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是()。A.电离杂质散射B.库仑...
单项选择题对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是()。
A.电离杂质散射B.库仑散射C.声学波声子散射D.光学波声子散射