单项选择题
A.增大B.不变C.减小D.可大可小
下图中的MOS管工作在()区(假定Vth=0.7V)。A.截止区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区
下图中的MOS管工作在()区(假定Vth=0.7V)。
A.截止区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区
集成电路代工产业的缔造者是()。A.基尔比B.摩尔C.张忠谋D.胡正明
单项选择题集成电路代工产业的缔造者是()。
A.基尔比B.摩尔C.张忠谋D.胡正明
FinFET等多种新结构器件的发明人是:()。A.基尔比B.摩尔C.张忠谋D.胡正明
单项选择题FinFET等多种新结构器件的发明人是:()。