离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。