单项选择题
A.不含任何杂质B.不含受主杂质C.处于绝对零度D.不含施主杂质
对于掺杂浓度相同的下列半导体,工作温度最高的为()A.GeB.SiC.SiCD.GaAs
单项选择题对于掺杂浓度相同的下列半导体,工作温度最高的为()
A.GeB.SiC.SiCD.GaAs
根据费米分布函数,电子占据(EF+2K0T)能级的几率()A.大于空穴占据EF的几率B.等于空穴占据(EF-2...
单项选择题根据费米分布函数,电子占据(EF+2K0T)能级的几率()
A.大于空穴占据EF的几率B.等于空穴占据(EF-2K0T)能级的几率C.等于空穴占据(EF+2K0T)能级的几率D.大于电子占据EF的几率
T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率()A.增加B.不确定C.不变D.下降
单项选择题T>0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电子占据能级的几率()
A.增加B.不确定C.不变D.下降