单项选择题
A.主平面B.次平面C.两表平面均可D.定位槽
晶向为.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出（）A.一个基准面B.两个基准面且呈45度角C.两个...
单项选择题晶向为<111>.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出（）
A.一个基准面B.两个基准面且呈45度角C.两个基准面且呈90度角D.定位槽
从安全上看，四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为：（）A.硅烷热分解法...
单项选择题从安全上看，四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为：（）
A.硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法＜三氯化硅氢还原法B.四氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法C.三氯化硅氢还原法＜硅烷热分解法＜四氯化硅氢还原法D.硅烷热分解法＜三氯化硅氢还原法＜四氯化硅氢还原法
离子注入、退火、快速热退火的英文分别是（）A.anneal，ion implantation，RTAB.dif...
单项选择题离子注入、退火、快速热退火的英文分别是（）
A.anneal，ion implantation，RTAB.diffusion，anneal，RTAC.ion implantation，anneal，RTAD.ion implantation，anneal，CVD
