单项选择题
A.器件是基于量子隧穿效应工作B.器件功耗较高C.器件为量子点结构D.器件速度较低
采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔()A. 减薄禁带窄材料的厚度 B. 减薄禁带宽材料的厚...
单项选择题采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔()
被高能入射电子轰击出来的样品核外电子,被称之为()A.特征X射线B.背散射电子C.透射电子D.次级电子
单项选择题被高能入射电子轰击出来的样品核外电子,被称之为()
A.特征X射线B.背散射电子C.透射电子D.次级电子
金属纳米球,当其半径必须小到多大时,才能使其基态能等于1eV()A.0.613nmB.0.307nmC.0.0...
单项选择题金属纳米球,当其半径必须小到多大时,才能使其基态能等于1eV()
A.0.613nmB.0.307nmC.0.031nmD.0.061nm