计算题

电路如图所示，已知FET的I_DSS=3mA、U_P=－3V、U_（BR）DS=10V。试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？（1）R_d=3.9kΩ；（2）R_d=10kΩ；（3）R_d=1kΩ。

放大电路如图所示，已知场效应管的IDSS=1.6mA，Up=-4V，rds忽略不计，若要求场效应管静态时的UG...

问答题

放大电路如图所示，已知场效应管的I_DSS=1.6mA，U_p=-4V，r_ds忽略不计，若要求场效应管静态时的U_GSQ=-1V，各电容均足够大。试求：（1）R_g1的阻值；（2）、R_i及R_o的值。

电路如图所示，场效应管的gm=11.3ms，rds忽略不计。试求共漏放大电路的源电压增益、输入电阻Ri和输出电...

问答题

电路如图所示，场效应管的g_m=11.3ms，r_ds忽略不计。试求共漏放大电路的源电压增益、输入电阻R_i和输出电阻R_o。

电路如图所示，已知FET在Q点处的跨导gm=2mS，λ=0，试求该电路的、Ri、Ro的值。

问答题

电路如图所示，已知FET在Q点处的跨导g_m=2mS，λ=0，试求该电路的、R_i、R_o的值。