单项选择题
A.原生长缺陷 B.替位杂质原子 C.本征点缺陷 D.间隙杂质原子
CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、...
单项选择题CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）
A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长C.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长D.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）A.只有熔炼过程中生成的SiCB.底下是SiC/其上面是产...
单项选择题在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）
A.只有熔炼过程中生成的SiCB.底下是SiC/其上面是产品工业硅C.全部都是产品工业硅D.以上皆不是
吸附时不发生任何化学变化，是（）A.物理吸附B.化学吸附C.不可逆过程D.以上皆不是
单项选择题吸附时不发生任何化学变化，是（）
A.物理吸附 B.化学吸附 C.不可逆过程 D.以上皆不是
