多项选择题
A、离子源B、吸引电极和质量分析器C、加速管D、扫描系统和终端靶室
离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是()和()。A、注入时间B、工作温...
多项选择题离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是()和()。
A、注入时间B、工作温度C、注入能量D、注入剂量
抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。A、偏转注入或倾斜硅片B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，...
多项选择题抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。
A、偏转注入或倾斜硅片B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化C、提高离子注入的速度D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)
CSP封装的芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经非常接近于1：1的理想情况。（）
判断题CSP封装的芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经非常接近于1：1的理想情况。（）
