单项选择题
A.温差电动势B.热释电C.光电导D.光电子发射
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（）A.1.42JB.1.42eV...
单项选择题半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（）
A.1.42JB.1.42eVC.1.42E-3JD.1.42E-3eV
已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个/秒，则该束激光功率为...
单项选择题已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个/秒，则该束激光功率为（）
A.30mWB.90mWC.30WD.90W
直视型真空图像探测器由几部分组成（）A.图像转换B.增强C.高真空管壳D.阳极
多项选择题直视型真空图像探测器由几部分组成（）
A.图像转换B.增强C.高真空管壳D.阳极
