填空题
渗碳体
细化晶粒的根本途径是控制形核率和()。
填空题细化晶粒的根本途径是控制形核率和()。
形核率越低,结晶晶粒越()。
填空题形核率越低,结晶晶粒越()。
晶粒长大速度越慢,则结晶后晶粒越()。
填空题晶粒长大速度越慢,则结晶后晶粒越()。