单项选择题
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。A.稍高于B.大大于C.等于D.没有要求
单项选择题干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.没有要求
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.与...
单项选择题下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.干氧氧化 B.湿氧氧化 C.水汽氧化 D.与氧化方法无关
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。A.电B.磁C.光D.热
单项选择题二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
A.电 B.磁 C.光 D.热
