单项选择题
A.少子B.双极C.多子D.复合型
半导体的功函数定义为真空能级和（）之差。A.EvB.EcC.费米能级D.Eg
单项选择题半导体的功函数定义为真空能级和（）之差。
A.EvB.EcC.费米能级D.Eg
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高0.026eV，则该p型半导...
单项选择题已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高0.026eV，则该p型半导体为（）半导体。
A.简并B.非简并C.弱简并D.以上均不对
考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）A.升高B.不变C.无法判断D.降低
单项选择题考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
A.升高B.不变C.无法判断D.降低
