实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO₂^1/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。N...

填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn_1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO_1+x，这是（）型半导体。

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 （1）掺0.1mg/kg的As （2）掺0.1mg/kg的As和0...

问答题

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
（1）掺0.1mg/kg的As
（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
（4）掺1mg/kg的Al

什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

问答题什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？