问答题
①此方法生长单晶体不需要坩埚，因此既节约了做坩埚的耐高温材料，又避免坩埚造成的污染；②氢氧焰燃烧温度可达2800℃，可生......
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助溶剂法晶体生长的特点
问答题助溶剂法晶体生长的特点
提拉法主要优点
问答题提拉法主要优点
溶体生长理想材料
问答题溶体生长理想材料
