案例分析题

设计一个CMOS反相器，
NMOS：V_TN=0.6V μ_NCOX=60uA/V²
PMOS：V_TP=-0.7V μ_PCOX=25uA/V²
电源电压为3.3V，L_N=L_P=0.8um

此CMOS反相器制作工艺允许V_TN、V_TP的值在标称值有正负15%的变化，假定其他参数仍为标称值，求V_M的上下限。

求VM=1.4V 时的WN/WP。

问答题求V_M=1.4V 时的W_N/W_P。

采用0.35um工艺的CMOS反相器，相关参数如下： VDD=3.3V NMOS：VTN=0.6V  μNCO...

问答题

采用0.35um工艺的CMOS反相器，相关参数如下：
V_DD=3.3V NMOS：V_TN=0.6V  μ_NCOX =60uA/V2   （W/L）_N=8 
PMOS：V_TP=-0.7V  μ_pCOX =25uA/V²   （W/L）_P=12 
求电路的噪声容限及逻辑阈值。

考虑一个具有如下参数的CMOS反相器电路： VDD=3.3V  VTN=0.6V  VTP=-0.7V   K...

问答题

考虑一个具有如下参数的CMOS反相器电路：
V_DD=3.3V  V_TN=0.6V  V_TP=-0.7V   K_N=200uA/V²    K_p=80uA/V² 
计算电路的噪声容限。