对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。Δ

有4个硅样品，其掺杂情况分别是：甲：含砷1×1015cm-3；乙：含硼和磷各1×1017cm-3；丙：含硼1×...

单项选择题

有4个硅样品，其掺杂情况分别是：
甲：含砷1×10¹⁵cm^-3；
乙：含硼和磷各1×10¹⁷cm^-3；
丙：含硼1×10¹⁷cm^-3；
丁：含砷1×10¹⁷cm^-3。
室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。

‎最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（）。A.EFB.EiC.EcD.Ev

单项选择题‎最有效的陷阱对应的陷阱能级位于（）。

对本征半导体，温度越（）则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越（）。A....

单项选择题对本征半导体，温度越（）则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越（）。