普通晶闸管是一种（）四层三端半导体器件，3个引出端分别为阳极A，阴极K和门极G。

小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

判断题小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

功率VMOS场效应晶体管为多数载流子器件，开关速度快。一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100n...

判断题功率VMOS场效应晶体管为多数载流子器件，开关速度快。一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100ns数量级。适合于做高频功率开关。

VMOS场效应管被广泛应用于音频功率放大器、逆变器及开关电源等电子产品中。

判断题VMOS场效应管被广泛应用于音频功率放大器、逆变器及开关电源等电子产品中。