‌对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。

MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。A.相同、减小...

单项选择题MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。

设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势Vs...

单项选择题设在金属与n型半导体之间加一电压，且n-Si接高电位，金属接低电位，使半导体表面层内出现耗尽状态。若表面势V_s=0.4V；外加电压为5V，施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3，则耗尽层厚度约为（）。

对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度...

单项选择题对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。