单项选择题
A.薄膜晶体管技术 B.光敏照相机技术 C.光电倍增管技术 D.光激励发光技术 E.非晶硒技术
间接DR中，位于FPD顶层的是（）A.非晶硒B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD
单项选择题间接DR中，位于FPD顶层的是（）
A.非晶硒 B.碘化铯 C.钨酸钙 D.非晶硅 E.CCD
CR成像时，将光信号转化为电信号的是（）A.IPB.FPDC.光电倍增管D.摄像机E.非晶硒
单项选择题CR成像时，将光信号转化为电信号的是（）
A.IP B.FPD C.光电倍增管 D.摄像机 E.非晶硒
DR相比于CR（）A.成像时间短B.X线利用效率高C.图像质量好D.系统成本高E.以上都是
单项选择题DR相比于CR（）
A.成像时间短 B.X线利用效率高 C.图像质量好 D.系统成本高 E.以上都是
