计算题

电路及其参数如图所示。
（1）若把C_e短路，并要求C₁与C₂所在回路的时间常数相等，且已知r_be=1kΩ，则C₁：C₂＝？
（2）若C₁与C₂所在回路的时间常数均为25ms，则C₁、C₂的电容值各为多少？下限频率f_L≈？
（3）若C₁和C₂对电路下限截止频率的作用可以忽略，b＝100，r_be＝1kΩ，欲使f_L＝60Hz，则C_e应选多少微法？

某共射极放大电路如图所示，已知晶体管的，三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF，等效输出电容Co忽略不计。...

问答题

某共射极放大电路如图所示，已知晶体管的，三极管的结电容等效输入电容C_i=500pF，等效输出电容C_o忽略不计。
（1）试计算中频电压放大倍数；
（2）试计算上、下限截止频率f_L、f_H；
（3）画出幅频、相频特性曲线。

电路如图所示。已知：晶体管的β、rbb′、Cμ、fβ均相等，所有电容的容量均相等；静态时所有电路中晶体管的发射...

问答题

电路如图所示。已知：晶体管的β、r_bb′、C_μ、f_β均相等，所有电容的容量均相等；静态时所有电路中晶体管的发射极电流I_EQ均相等。
（1）低频特性最差即下限频率最高的电路是？
（2）低频特性最好即下限频率最低的电路是？
（3）高频特性最差即上限频率最低的电路是？

电路如图所示。已知晶体管T1、T2、T3为特性相同的同型号硅管，它们的UBEQ均为0.7V，rbb’均为80Ω...

问答题

电路如图所示。已知晶体管T₁、T₂、T₃为特性相同的同型号硅管，它们的U_BEQ均为0.7V，r_bb’均为80Ω，均为50；电路中的V_CC=12V，R₁=10kΩ、R₂=5.1kΩ、R₃=1kΩ、R₄=1.2kΩ、R₅=3kΩ、R₆=12kΩ、R₇=20kΩ、R₈=1.2kΩ、R₉=12kΩ、R₁₀=5kΩ、R₁₁=1.2kΩ、R_L=10kΩ；各电容器的电容量均足够大。试求：
（1）电压放大倍数A_u；
（2）输入电阻R_i及输出电阻R_o值。