判断题
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对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）A.IGBT的开关速度低于电力MOSFE...
多项选择题对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTOB.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
下列不属于交流电力电子开关特点的是（）A.响应速度快B.无触点C.损耗低D.寿命长
单项选择题下列不属于交流电力电子开关特点的是（）
A.响应速度快B.无触点C.损耗低D.寿命长
SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤的是（）A.扇区判断B.有效矢量作用时间计算C.矢量合成D.载波...
单项选择题SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤的是（）
A.扇区判断B.有效矢量作用时间计算C.矢量合成D.载波调制
