判断题
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单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
判断题单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）A.阈值电压增大B.跨导增大C.亚阈区特性恶...
多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）
A.阈值电压增大B.跨导增大C.亚阈区特性恶化D.漏源击穿电压增加
MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）A.饱和漏源电压B.跨导C.饱和漏极电流D...
多项选择题MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）
A.饱和漏源电压B.跨导C.饱和漏极电流D.最高工作频率
