多项选择题
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定 B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度 C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt...
多项选择题下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在饱和区 B.当捕获73.JPG"alt="捕获时，且捕获72.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在深线性区 C.当捕获71.JPG"alt="捕获，并且捕获72.JPG"alt="捕获，NMOS器件工作在线性区 D.当捕获73.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在截止区
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
判断题如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
下列关于MOS版图说法不正确的是（）A.版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里B.栅极的接触孔应该开在沟道区外C....
单项选择题下列关于MOS版图说法不正确的是（）
A.版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里 B.栅极的接触孔应该开在沟道区外 C.源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则 D.版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
