单项选择题
A.工艺简单易操作B.导热好C.不易碳化D.耐高温300℃以上
用金锑合金共晶粘片时，采用的温度为（）A.350℃~360℃B.380℃~410℃C.410℃~440℃D.4...
单项选择题用金锑合金共晶粘片时，采用的温度为（）
A.350℃~360℃B.380℃~410℃C.410℃~440℃D.420℃~450℃
半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）A.产生＞复合B.产生＜复合C.产生=复合D.产生率=复合率=0
单项选择题半导体的光照被消除的情况下，其中的载流子（）
A.产生＞复合B.产生＜复合C.产生=复合D.产生率=复合率=0
大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）A.H2B.N2C.HeD.H2和N2混合气体
单项选择题大功率芯片烧结工艺中，保护气体最好采用（）
A.H2B.N2C.HeD.H2和N2混合气体
