水冷壁结垢速率计算时应取结垢速率的（）一侧进行计算。

直流炉启动冲转时，SiO2的控制标准为≤（）μg/L。A.20B.30C.5D.60

单项选择题直流炉启动冲转时，SiO₂的控制标准为≤（）μg/L。

有凝结水精处理的机组，凝结水水质异常时钠的一级处理值为（）μg/L。A.＞10B.＞15C.＞20D.＞5

单项选择题有凝结水精处理的机组，凝结水水质异常时钠的一级处理值为（）μg/L。

温差腐蚀电池形成的原因主要是（）A.电解质溶液的介质不同B.电解质溶液的压力不同C.电解质溶液的浓度不同D.电...

单项选择题温差腐蚀电池形成的原因主要是（）