P沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。N沟道增强型MOS管的开启电压为（）值。

对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（），并且只能当VGS（）时，才能形有Id。

填空题对于增强型N型沟道MOS管，V_GS只能为（），并且只能当V_GS（）时，才能形有Id。

对于耗尽型MOS管，VGS可以为（）

填空题对于耗尽型MOS管，V_GS可以为（）

场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极...

填空题场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流（）穿过PN结（能，不能）。