单项选择题
A.增大 B.减小 C.不变 D.先增大后减小
耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A.大于零B.等于零C.大于0.7VD.小于零
单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
A.大于零 B.等于零 C.大于0.7V D.小于零
双极型晶体管有（）A.二个pn结B.一个pn结C.三个pn结D.没有pn结
单项选择题双极型晶体管有（）
A.二个pn结 B.一个pn结 C.三个pn结 D.没有pn结
pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A....
单项选择题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）
A.复合电流 B.漂移电流 C.扩散电流 D.漏电流
