P型半导体发生强反型的条件（）

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，...

多项选择题

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

导带底的电子是（）。A. 带正电的有效质量为正的粒子B. 带正电的有效质量为负的准粒子C. 带负电的有效质量为...

单项选择题导带底的电子是（）。

请选出正确选项填入括号内 在室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（）...

问答题

请选出正确选项填入括号内
在室温下，半导体Si中掺入浓度为10¹⁴cm^-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×10¹⁵cm^-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n_i=10¹⁰cm^-3；K550时，n_i=10¹⁷cm^-3）