判断题
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反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。
判断题反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。
全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比,ESD保护能力较弱,但是面积较小。
判断题全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比,ESD保护能力较弱,但是面积较小。
场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系,漏端面积越大其ESD能力越小。
判断题场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系,漏端面积越大其ESD能力越小。